IBM攜手泛林集團劍指1奈米芯片技術

科技公司IBM與半導體設備大廠泛林集團近日宣布簽署一項為期五年的聯合研發協議，雙方將合作開發面向1奈米以下邏輯芯片的材料與製程技術，並以高數值孔徑極紫外線光刻技術為核心。這項合作將在紐約州奧爾巴尼的NY Creates奈米技術綜合體內、IBM研究中心進行，被視為推動下一代半導體製程的重要一步。

鉅亨網報道，兩家公司表示，此次合作將結合泛林集團在半導體設備與材料技術方面的能力，以及IBM在先進製程研發領域的技術積累，以加速高NAEUV技術在未來邏輯芯片製造中的應用。高NAEUV被認為是推動1奈米以下節點的重要關鍵技術，業界普遍視其為延續芯片微縮的重要路徑。

IBM與泛林集團已有超過十年的合作歷史，雙方曾共同參與7奈米製程技術開發、奈米片電晶體架構設計，以及早期EUV製程整合。2021年，IBM正是在這一長期合作基礎下，宣布成功研發全球首個2奈米節點芯片，當時被視為芯片微縮技術的重要里程碑。

根據最新合作協議，雙方將利用泛林集團多項設備與技術平台進行製程驗證與開發，包括Kiyo與Akara刻蝕平台、Striker與ALTUSHalo沉積系統，以及Aether乾式光阻技術。

研究將集中於奈米片與奈米疊層裝置架構，以及背面供電技術的完整製程整合。