比利時拘捕華裔前晶片高層 涉非法轉移氮化鎵技術

比利時檢方拘捕一名華裔前晶片公司高層，指控其涉嫌非法轉移關鍵的半導體技術至海外。此案涉及用於電動車及軍事領域的氮化鎵（GaN）晶片智慧財產權，凸顯高科技領域的商業機密保護與國際競爭議題。

本文核心內容：

• 比利時檢方拘捕一名52歲、具中國與比利時雙重國籍的男子，他涉嫌從事半導體技術間諜活動。
• 該男子曾任職於當地氮化鎵（GaN）晶片製造商Belgan，涉嫌將相關智慧財產權與商業機密非法轉移至國外。
• Belgan公司生產的氮化鎵半導體可應用於電動車、航太及軍事領域，並已於2024年7月宣告破產。

案情細節與調查方向

據路透社引述檢方指出，該名男子於今年5月在機場準備搭機前往北京時被捕，目前正遭審前羈押，同案另有一名疑犯在逃。他定居比利時，曾是當地晶片製造商Belgan的高層人員。

涉事中國企業背景

檢方懷疑，該男子在Belgan任職期間，同時在一間生產同類晶片的中國企業擔任董事。調查發現，該中國公司由中國投資基金出資，且在他加入Belgan僅數個月後便告成立。

對於這起事件，中國駐比利時大使館目前未發表任何評論。