（星島日報報道）南韓三星電子昨日正式宣布開始量產三納米晶片，領先台積電及英特爾等國際競爭對手，三星將可因而提高晶片性能百分之二十三，縮小晶片面積百分之十六。
韓聯社報道，三星電子昨日正式宣布量產環繞閘極（GAA）架構的三納米晶片製程，於設有極紫外光（EUV）設備的華城園區投入生產。
面積縮小16% 可節約用電45%
據悉，投入生產的三納米製程與三星既有的五納米製程相比，晶片面積縮小百分之十六，用電可節約百分之四十五，性能提高百分之二十三。明年預定引入的第二代GAA技術的三納米製程，將可進一步節約電力達百分之五十，提高性能百分之三十，縮小晶片面積百分之三十五。
三星電子稱，三星這次應用三納米製程領先全球，今後還將積極開發足以領先同業的技術，構建快速提高製程成熟度的系統。
根據市場調查機構統計，今年第一季全球晶圓代工市佔率由台積電以百分之五十三點六高踞第一，三星電子以百分之十六點三位居第二。三星料會寄望藉着這次率先推出三納米製程，追上最大勁敵台積電。
在此之前，三星與台積電的最尖端製程皆為四納米。台積電先前表示，將在今年下半年開始量產三納米製程晶片。據報三星繼這次三納米製程投入量產後，規劃在二○二五年投入二納米製程。
